收藏本站
Si4812BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
10
T J = 150 °C
0.05
0.04
0.03
I D = 9.5 A
1
0.1
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
10
1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.1
30 V
30
0.01
20
0.001
20 V
0.0001
10 V
10
0.00001
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Junction Temperature (°C)
Reverse Current (Schottky)
100
Limited by
R DS(on) *
10
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power (MOSFET)
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 73038
S-83039-Rev. D, 29-Dec-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4814BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4816DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4818DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4834BDY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4840-DEMO SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
SI4842BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
SI4844-A10-GU IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS
相关代理商/技术参数
SI4812DY 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4812DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4812DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4812DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4814BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4814BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4814BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4814DY 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube